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IXFN82N60P中文资料

IXFN82N60P图片

IXFN82N60P外观图

  • 大小：131KB
  • 厂家：
  • 描述：MOSFET N-CH 600V 72A SOT-227B
  • 标准包装：10
  • 类别：半导体模块
  • 家庭：FET
  • 系列：PolarHV™
  • FET 型：MOSFET N 通道，金属氧化物
  • FET 特点：标准型
  • 漏极至源极电压(Vdss)：600V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：72A
  • 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：75 毫欧 @ 41A，10V
  • Id 时的 Vgs(th)（最大）：5V @ 8mA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs：240nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds：23000pF @ 25V
  • 功率 - 最大：1040W
  • 安装类型：底座安装
  • 封装/外壳：SOT-227-4，miniBLOC
  • 供应商设备封装：SOT-227B
  • 包装：管件

IXFN82N60P供应商

更新时间:2023-01-05 10:05:43
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